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　　收購(gòu)項(xiàng)目：回收CCD芯片，西鄉(xiāng)收購(gòu)IC,西鄉(xiāng)收購(gòu)庫(kù)存ic，回收ICX811AKA，回收IC：回收ICX639，回收ICX673回收ICX673 ，內(nèi)存，南北橋、手機(jī)IC、電腦周邊IC、電視機(jī)IC、ATMEL/PIC系列單片機(jī)、TA系列，手機(jī)主控IC，MTK主板芯片回收，收購(gòu)MT6323芯片,回收三星內(nèi)存、字庫(kù)、藍(lán)牙芯片、功放IC、電解電容、鉭電容、貼片電容、晶振、 繼電器.二三極管、內(nèi)存、單片機(jī)、模塊,顯卡、網(wǎng)卡、芯片、顯示屏、液晶系列、電腦配件系列、倉(cāng)庫(kù)積壓、內(nèi)存條系列、報(bào)廢主板系列、電容系列、家電IC、電腦IC、通訊IC、數(shù)碼IC、安防IC、IC，IC： K9F系列、南北橋、手機(jī)IC、電腦周邊IC、電視機(jī)IC、回收ATMELC系列單片機(jī)、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、TA系列，手機(jī)主控IC，內(nèi)存卡、字庫(kù)、藍(lán)牙芯片、功放IC、電解電容、鉭電容、貼片電容、晶振、變壓器、LED發(fā)光管、 繼電器...）等一切電子料。

　　其中，計(jì)算與圖形處理器營(yíng)收同比增長(zhǎng)44%至24億美元，環(huán)比增長(zhǎng)7%，目前AMD消費(fèi)級(jí)CPU銷售仍實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁雙位數(shù)同比增長(zhǎng)，但較上季略降低。隨著消費(fèi)者開(kāi)始選擇更的CPU，AMD CPU產(chǎn)品線平均銷售單價(jià)較去年以及上季都得到了提高。

　　圖形芯片方面，該業(yè)務(wù)得益于AMD CDNA 2數(shù)據(jù)中心GPU出貨量增加和消費(fèi)級(jí)Radeon 6000 GPU的高需求，數(shù)據(jù)中心圖形芯片的銷售額同比增長(zhǎng)超。

　　AMD企業(yè)、嵌入式和半定制營(yíng)收為19億美元，連續(xù)創(chuàng)新高，同比增長(zhǎng)69%。AMD用于服務(wù)器的EPYC系列CPU持續(xù)幫助AMD拿下更多數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，進(jìn)入了Cloudflare、Vimeo和Netflix的云計(jì)算數(shù)據(jù)中心部署，還收到來(lái)自戴爾、HPE、聯(lián)想等廠商的訂單。此外，游戲機(jī)需求持續(xù)旺盛，推動(dòng)AMD半定制芯片業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。

　　以來(lái)，遠(yuǎn)程辦公、線上教學(xué)和游戲需求為PC市場(chǎng)帶來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng)動(dòng)力，AMD消費(fèi)業(yè)務(wù)勢(shì)頭良好。蘇姿豐在財(cái)報(bào)電話會(huì)上舉例，AMD銳龍5000系列處理器的出貨量環(huán)比增長(zhǎng)了兩位數(shù)，宏碁、華碩、惠普和聯(lián)想等PC OEM都增加了采用AMD芯片的筆記本電腦產(chǎn)品。

　　一、IGBT是逆變和變頻的關(guān)鍵器件，近期市場(chǎng)熱炒

　　功率器件主要為二極管、三極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等，市場(chǎng)主要被國(guó)外廠商壟斷。

　　二極管是基礎(chǔ)性器件，主要用作整流，雖然原理成熟，但受產(chǎn)品穩(wěn)定性及客戶認(rèn)證壁壘影響，國(guó)產(chǎn)化率仍然較低；

　　三極管主要適用于消費(fèi)電子等產(chǎn)品，用于開(kāi)關(guān)或功率放大，國(guó)外廠商仍占據(jù)市場(chǎng)份額的前列，國(guó)內(nèi)廠商在附加值較低的部分已完成了國(guó)產(chǎn)替代；

　　晶閘管主要用于工業(yè)領(lǐng)域，屬于電流控制型開(kāi)關(guān)器件，市場(chǎng)整體規(guī)模較小。

　　MOSFET是最為成熟的功率器件之一，適用于消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子等，相較于者，適用頻率高，但一般用于功率不超過(guò)10kw的電力電子裝置，在中低壓領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商正逐步展開(kāi)國(guó)產(chǎn)替代；

　　IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí)，市場(chǎng)空間增速快。IGBT 作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。