當(dāng)然，并不是所有的IGBT模塊都能用在上述領(lǐng)域。IGBT模塊一般分為低壓、中壓和高壓，低壓一般用于汽車零部件、消費電子；中壓一般用于汽車、工業(yè)控制、家用電器；高壓則用于軌道交通、光伏發(fā)電和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。時代電氣IGBT產(chǎn)品電壓范圍覆蓋750V-6500V，為國內(nèi)電壓覆蓋范圍最廣的本土廠家，從低壓的汽車，到中壓的工業(yè)控制，再到高壓的軌道交通都能夠支持。除了原有的優(yōu)勢領(lǐng)域軌道交通外，時代電氣正在主攻的汽車和光伏方向，正是目前IGBT增速的兩個領(lǐng)域。比如它已和廣汽、造車新勢力等A級車以上合作，光伏、風(fēng)電方面與陽光能源、金風(fēng)科技等深度合作。其他上市公司中，斯達(dá)半導(dǎo)工控較強(qiáng)，在汽車、光伏和家電領(lǐng)域有布局，并且在向3300V高壓IGBT發(fā)力；比亞迪電子汽車最強(qiáng)，在工控、家電、消費電子有布局；士蘭微則布局了工控、汽車、光伏領(lǐng)域。從各家布局情況看，汽車、工控和光伏三個賽道最為“擁擠”

　　YD電子ic回收我們一慣堅持，質(zhì)量、價格合理、交貨快捷、服務(wù)至上、凝聚客戶”的發(fā)展理念和宗旨，向企業(yè)提供最滿意的服務(wù)為已任，通過強(qiáng)大的市場服務(wù)網(wǎng)絡(luò)體系向企業(yè)提供規(guī)范化、化、多元化、繼電器回收,繼電器回收價格,回收手機(jī)IC收購手機(jī)IC回收IC收購IC,全方位的服務(wù)回收ic

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　　發(fā)展關(guān)鍵點2:封裝工藝。由于功率半導(dǎo)體工作環(huán)境極端，對可靠性和壽命等要求較高，因此封裝工藝同樣是功率半導(dǎo)體的主要關(guān)注點。封裝工藝主要從三種途徑進(jìn)行改進(jìn)：①提高芯片面積與占用面積之比；②將封裝的電阻和熱阻減至最??；③將寄生電阻和電感減至最小。

　　以TOLL封裝為例，它是一種高效節(jié)省空間的封裝，具有極低的寄生電阻和強(qiáng)大的熱性能，非常適合于高電流和高壓應(yīng)用。根據(jù)EEWORLD，TOLL 封裝引線設(shè)計中潤濕性側(cè)翼，在汽車領(lǐng)域競爭力明顯，是汽車應(yīng)用中的常用技術(shù)。

　　車規(guī)級IGBT模塊封裝技術(shù)壁壘更高，封裝質(zhì)量及散熱重要性突出。車規(guī)級IGBT 模塊是功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)壁壘的產(chǎn)品之一。車規(guī)級封裝是保障高溫運(yùn)行、高功率密度、高可靠性的關(guān)鍵因素，不僅僅涉及到芯片表面互連、貼片互連、端子引出、散熱等關(guān)鍵技術(shù)工藝。

　　發(fā)展關(guān)鍵點3:材料迭代。功率半導(dǎo)體還專注于材料的迭代，現(xiàn)有第三代半導(dǎo)體材料可有效提升原有硅基材料的性能，突破原有器件性能天花板。以SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體可在更高頻、更高壓的環(huán)境下工作，性能上超過原有Si基IGBT 和Si基MOSFET，且原有的成本問題也不斷得到了優(yōu)化。