同時，IGBT等功率半導體是逆變器實現(xiàn)直流轉(zhuǎn)交流的關(guān)鍵所在，在逆變器成本中約占據(jù)13%的價值。IGBT 和MOSFET 等電力電子開關(guān)器件的高頻率開合特性是逆變器實現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)交流電這一基礎功能的基礎。

　　逆變器生產(chǎn)所需原材料主要包括電子元器件、機構(gòu)件以及輔助材料，其中電子元器件包括功率半導體、集成電路、電感磁性元器件、PCB 線路板、電容、開關(guān)器件、連接器等，機構(gòu)件主要為壓鑄件、鈑金件等，輔助材料主要包括塑膠件等絕緣材料。根據(jù)固德威招股說明書披露，機構(gòu)件、電感、IGBT 功率器件為3 大核心耗材，占據(jù)近60%的成本，其中IGBT 功率器件占據(jù)約13%，位列第三。

　　光伏逆變器IGBT需求：根據(jù)測算，我們預估2026 年全球光伏IGBT 市場需求將從2020 年的28.3 億元提升至63.5 億元。若假設國內(nèi)廠商能拿到65%的市場份額，則國內(nèi)光伏IGBT 需求將從2020 年的18.4 億元提升至2026 年的41.3 億元，CAGR達到14.4%。

　　四、功率半導體競爭格局

　　未來國內(nèi)的功率半導體無論是二極管/晶閘管，還是MOSFET，乃至難度更高的IGBT，市場份額均有望顯著提升，實現(xiàn)功率半導體的國產(chǎn)替代。

　　GBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT 作為半導體功率器件中的全控器件，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT 的開關(guān)特性可以實現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，其應用領(lǐng)域極其廣泛。碳化硅具有較高的能量轉(zhuǎn)換效率，且不會隨著頻率的提高而降低，碳化硅器件的工作頻率可以達到硅基器件的10倍，相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET總能量損耗僅為硅基IGBT的30%。碳化硅材料將在高溫、高頻、高頻領(lǐng)域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

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