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更新 2023-05-10 12:45
 

深圳市木彩貿(mào)易有限公司

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詳細(xì)說明
品牌

INFINEON/英飛凌

型號

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封裝形式

QFP

導(dǎo)電類型

其他

封裝外形

扁平型

集成度

超大規(guī)模(>10000)

外形尺寸

2.0*3mm

加工定制

工作電源電壓

220vV

最大功率

450W

工作溫度

50℃

批號

2021

產(chǎn)地

中國

數(shù)量

28888

封裝

高價(jià)回收庫存電子

QQ

2785826739

廠家

英飛凌



  斯達(dá)在財(cái)報(bào)中指出,公司生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級 IGBT 模塊持續(xù)放量,合計(jì)配套超過20 萬輛新能源汽車,預(yù)計(jì)下半年配套數(shù)量將進(jìn)一步增加。同時(shí)公司在用于車用空調(diào)、充電樁、電子助力轉(zhuǎn)向等新能源汽車半導(dǎo)體器件份額進(jìn)一步提高。

  據(jù)悉,英威騰電氣、匯川技術(shù)、巨一動(dòng)力、上海電驅(qū)動(dòng)等均是斯達(dá)的客戶。

  關(guān)于新技術(shù)的配套和定點(diǎn),今年上半年,斯達(dá)基于第六代 Trench Field Stop 技術(shù)的 650V/750V IGBT 芯片及配套快恢復(fù)二極管芯片的模塊新增多個(gè)雙電控混動(dòng)以及純電動(dòng)車型的主電機(jī)控制器平臺定點(diǎn),將對2023年-2029 年公司新能源汽車 IGBT 模塊銷售增長提供持續(xù)推動(dòng)力;

  基于第七代微溝槽 Trench Field Stop 技術(shù)的新一代車規(guī)級 650V/750VIGBT 芯片研發(fā)成功,預(yù)計(jì) 2022 年開始批量供貨;

  基于第六代 Trench Field Stop技術(shù)的1200V IGBT芯片在12寸產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn),12英寸IGBT芯片產(chǎn)量迅速提高;

  車規(guī)級 SGT MOSFET (split-gate trench MOSFET)開始小批量供貨;

  新增多個(gè)使用全SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),將對2023 年-2029年 SiC 模塊銷售增長提供持續(xù)推動(dòng)力。

  YD電子ic回收我們一慣堅(jiān)持,質(zhì)量、價(jià)格合理、交貨快捷、服務(wù)至上、凝聚客戶”的發(fā)展理念和宗旨,向企業(yè)提供最滿意的服務(wù)為已任,通過強(qiáng)大的市場服務(wù)網(wǎng)絡(luò)體系向企業(yè)提供規(guī)范化、化、多元化、繼電器回收,繼電器回收價(jià)格,回收手機(jī)IC收購手機(jī)IC回收IC收購IC,全方位的服務(wù)回收ic

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  通過大量的拆解可以發(fā)現(xiàn),東芝閃存有TSOP(Thin Small Outline Package)和BGA(Ball Grid Array Package)兩種封裝形式。BGA封裝的閃存,使用球柵陣列觸點(diǎn)通信,觸電位于芯片底部,數(shù)量有 132 個(gè)或更多。

  240GB版本的東芝TR200 內(nèi)使用了 8 顆TSOP封裝的閃存顆粒,每個(gè)顆粒內(nèi)含一個(gè)256Gb容量的東芝BiCS閃存晶粒。

  新版TR200 480G內(nèi)只用了兩顆BGA封裝的閃存顆粒,每個(gè)顆粒內(nèi)含 4 個(gè)512Gb容量的東芝BiCS3 閃存晶粒,在容量翻倍的同時(shí),使用的閃存顆粒數(shù)量也下降到原有的四分之一。這就是高容閃存和疊Die封裝的優(yōu)勢。BGA封裝的優(yōu)勢之一:體積小容量大作為出現(xiàn)更晚的封裝形態(tài),BGA封裝有很多先天優(yōu)勢,其中體積小、容量大是最顯著的特征。通常在大容量固態(tài)硬盤中我們能看到的都是BGA封裝的閃存顆粒。BGA封裝的優(yōu)勢之二:可支持高頻閃存接口


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