肖特基二極管：肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航?.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管，臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。隧道二極管又稱為江崎二極管，臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)，它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)特性好，速度快、工作頻率高，臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)，多應(yīng)用于某些開關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。二極管具有陽極和陰極兩個(gè)端子，電流只能往單一方向流動(dòng)。臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)

　　二極管的結(jié)構(gòu)組成：二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。 采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。 二極管的電路符號(hào)所示。二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號(hào)用VD表示。浙江二極管安裝方式面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓。

　　光電二極管又稱為光敏二極管，它是一種將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的主要部分也是一個(gè)PN結(jié)，和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是：光電二極管的外殼上有一個(gè)透明的窗口以接收光線照射，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。光電二極管的電路符號(hào)、結(jié)構(gòu)及實(shí)物。光電二極管是在反向電壓作用之下工作的。工作時(shí)加反向電壓，沒有光照時(shí)，其反向電阻很大，只有很微弱的反向飽和電流（暗電流）。當(dāng)有光照時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流（亮電流），光照越強(qiáng)，該亮電流就越大。

　　二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對它的工作原理分析思路主要說明下列幾點(diǎn)：（1）VD1的正極通過R1與直流工作電壓 V相連，而它的負(fù)極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓 V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極上電壓高于負(fù)極上電壓。（2）利用二極管導(dǎo)通后有一個(gè)0.6V管壓降來解釋電路中VD1的作用是行不通的，因?yàn)橥ㄟ^調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達(dá)到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調(diào)整VT1基極電壓大小。二極管由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。

　　二極管種類：激光二極管當(dāng)LED產(chǎn)生的光是頻寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時(shí)，則稱為激光二極管。光電二極管光線射入PN接面，P區(qū)電洞、N區(qū)電子大量發(fā)生，產(chǎn)生電壓（光電效應(yīng)）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應(yīng)器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應(yīng)。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應(yīng)的作用，會(huì)出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)順向電壓增加時(shí)流通的電流量反而減少的“負(fù)電阻”的現(xiàn)象。這是能耐受核輻射的半導(dǎo)體二極管。發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。廣州瞬變抑制二極管用途

　　二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)

　　二極管的起源早在20世紀(jì)40年代，人們就開始利用金屬-半導(dǎo)體接觸的單向?qū)щ娦?，?dāng)時(shí)將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點(diǎn)接觸型二極管，將這種較簡單的半導(dǎo)體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術(shù)可在半導(dǎo)體表面形成大面積的金屬-半導(dǎo)體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導(dǎo)體二極管，習(xí)慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成 這里需要對陰極金屬與重?fù)诫s的N 層之間的接觸進(jìn)行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導(dǎo)體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。臺(tái)州半導(dǎo)體二極管參數(shù)

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