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點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。因?yàn)闃?gòu)造簡單,所以價(jià)格便宜。對于小信號的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用范圍較廣的類型。與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此不能使用于大電流和整流。將細(xì)鋁絲的一端接在陽極引線上,另一端壓在摻雜過的N型半導(dǎo)體上。加上電壓后,細(xì)鋁絲在接觸點(diǎn)處融化并滲入融化部分的中,阻尼二極管制造商。這樣,接觸點(diǎn)實(shí)際上是P型半導(dǎo)體,阻尼二極管制造商,并附著在N型半導(dǎo)體上形成PN結(jié),阻尼二極管制造商。穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管,具有穩(wěn)定電壓的作用。阻尼二極管制造商
光電二極管特性可以用一個(gè)等效電路模型表示,該模型由一個(gè)理想的二極管一個(gè)電流源和其他寄生的電阻電容構(gòu)成。其中電流源表示了光電二極管產(chǎn)生的光電流信號,理想二極管表示了P-N結(jié),體現(xiàn)了光電二極管正向偏壓狀態(tài)時(shí)的電壓條件。旁路電阻R表示了光電二極管的伏安特性曲線中的斜率,即偏壓為零時(shí)的結(jié)電阻。對理想的光電二極管來說,旁路電阻是無窮大的,但實(shí)際應(yīng)用中旁路電阻阻值的變化為10- 1000M。旁路電阻影響了光電二極管的暗電流噪聲,光電二極管的性能越好,其旁路電阻越大。串聯(lián)電阻R是由接觸電阻和未耗盡的體電阻構(gòu)成,大小與光電二極管的尺寸、偏壓有關(guān);結(jié)間電容C表示了光電二極管P-N結(jié)的電荷存儲能力,與二極管面積和反向電壓有關(guān)。發(fā)光二極管紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負(fù)極。
二極管PN結(jié)形成原理:P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體(一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體)摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì),如硼等。因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子,它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵,因缺少一個(gè)電子,在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位,當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位,使硼原子成了不能移動的負(fù)離子,而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子,形成了空穴,但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主,空穴為多數(shù)載流子,自由電子為少數(shù)載流子。 N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子,如磷等。摻入后,它與硅原子形成共價(jià)鍵,產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。
二極管種類:激光二極管當(dāng)LED產(chǎn)生的光是頻寬極窄的同調(diào)光(Coherent Light)時(shí),則稱為激光二極管。光電二極管光線射入PN接面,P區(qū)電洞、N區(qū)電子大量發(fā)生,產(chǎn)生電壓(光電效應(yīng))。借由測量此電壓或電流,可作為光感應(yīng)器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應(yīng)。隧道二極管(Tunnel Diode)、江崎二極管(Esaki Diode)、透納二極管1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應(yīng)的作用,會出現(xiàn)在一定偏置范圍內(nèi)順向電壓增加時(shí)流通的電流量反而減少的“負(fù)電阻”的現(xiàn)象。這是能耐受核輻射的半導(dǎo)體二極管。二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣,其結(jié)電容由勢壘電容組成。
面接觸式二極管:面接觸式PN結(jié)二極管是由一塊半導(dǎo)體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個(gè)半導(dǎo)體(如本征硅)的一端成為一個(gè)包含負(fù)極性載流子(電子)的區(qū)域,稱作N型半導(dǎo)體;另一端成為一個(gè)包含正極性載流子(空穴)的區(qū)域,稱作P型半導(dǎo)體。兩種材料在一起時(shí),電子會從N型一側(cè)流向P型一側(cè)。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷,造成中間區(qū)域載流子不足,形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場”:N型側(cè)帶正電,P型側(cè)帶負(fù)電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結(jié),晶體允許電子(外部來看)從N型半導(dǎo)體一端,流向P型半導(dǎo)體一端,但是不能反向流動。二極管紅外線發(fā)光的發(fā)射強(qiáng)度因發(fā)射方向而異。發(fā)光二極管
發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。阻尼二極管制造商
電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,是通信、計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)、數(shù)字音視頻等系統(tǒng)和終端產(chǎn)品發(fā)展的基礎(chǔ),其技術(shù)水平和生產(chǎn)能力直接影響整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,對于電子信息產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和做大做強(qiáng)有著重要的支撐作用。電子元器件應(yīng)用領(lǐng)域十分寬泛,幾乎涉及到國民經(jīng)濟(jì)各個(gè)工業(yè)部門和社會生活各個(gè)方面,既包括電力、機(jī)械、礦冶、交通、化工、輕紡等傳統(tǒng)工業(yè),也涵蓋航天、激光、通信、高速軌道交通、機(jī)器人、電動汽車、新能源等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。新型顯示、智能終端、人工智能、汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動通信、智慧家庭、5G等領(lǐng)域成為中國電子元器件市場發(fā)展的源源不斷的動力,帶動了電子元器件的市場需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來看,電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。而LED芯片領(lǐng)域,隨著產(chǎn)業(yè)從顯示端向照明端演進(jìn),相應(yīng)的電子元器件廠商也需要優(yōu)化生產(chǎn)型,才能為自身業(yè)務(wù)經(jīng)營帶來確定性。因此,從需求層面來看,電子元器件市場的發(fā)展前景極為可觀。阻尼二極管制造商
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