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品牌 | 筱曉光子 | 型號 | IRD-IGS-10 |
半導(dǎo)體材料 | 銦鎵砷 | 封裝方式 | 金屬封裝 |
外形 | 圓頭 | 光譜響應(yīng)范圍 | 700-1700nm |
光敏面直徑 | 10mm | 響應(yīng)度 | 0.95 A/W |
光敏材料 | InGaAs | 分流阻抗 | 10MΩ |
超大光敏面銦鎵砷光電二極管
筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。
我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。
為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。