單晶硅差壓變送器是采用先進(jìn)的單晶硅壓力傳感器技術(shù)應(yīng)用，結(jié)合封裝技術(shù)應(yīng)用，精心開發(fā)的一種高性能壓力變送器，其測量精度高達(dá)0.075級，具有獨(dú)特的雙過載保護(hù)設(shè)計(jì)，單向過壓可達(dá)40MPa。本發(fā)明提供了一種硅單晶壓力傳感器，它位于金屬表面，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸表面，實(shí)現(xiàn)了機(jī)械隔離開和熱隔離開；玻璃燒結(jié)式傳感器引線與金屬基體實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度電絕緣，提高了電子線路耐瞬變電壓保護(hù)性能。這種技術(shù)應(yīng)用保證了單晶硅壓力變送器能夠輕松應(yīng)付化學(xué)場合和機(jī)械載荷，同時(shí)具有強(qiáng)大的抗電磁*力，能夠適應(yīng)在復(fù)雜工業(yè)環(huán)境中的應(yīng)用，是一種名副其實(shí)的隱形儀表。

　　單晶硅壓力變送器與電容型壓力變送器的區(qū)別。

　　1.運(yùn)行方式不同。

　　2.單晶硅壓力變送器以單晶硅片作為彈性元件，利用集成技術(shù)應(yīng)用，在單晶硅薄膜上以特定方向擴(kuò)散一組等電阻，并將電阻連接到橋路中，單晶硅片置入感測器腔中。

　　3.電容型壓力變送器被測介質(zhì)有兩種壓力通向高處兩個(gè)壓力室，作用于δ元件兩側(cè)隔離開膜片(即敏感元件)，透過隔離開片及內(nèi)部填充液，傳送至測量膜片兩側(cè)。該變送器是由測量隔膜和兩個(gè)絕緣片上的電極構(gòu)成的一種電容。由于兩面壓力不相等，導(dǎo)致測量膜片產(chǎn)生位移，其位移量與壓差成正比，故兩面電容就不同，透過振蕩及解調(diào)環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)換成與壓力成正比的信號。

　　單晶硅壓力變送器的六個(gè)特點(diǎn)。

　　1.全封閉式。完全性隔離開的單晶硅壓力傳感器，充液技術(shù)應(yīng)用，排除溫度.靜壓作用，雙膜片超負(fù)荷結(jié)構(gòu)，沉著應(yīng)對高過載考驗(yàn)。

　　2.集成電路技術(shù)與表面封裝技術(shù)應(yīng)用的信號變送模塊，24位ADC具有高精度和快速響應(yīng)功能，顯示模塊可360°旋轉(zhuǎn)，功能鍵主要參數(shù)實(shí)際操作便捷。

　　3.超耐瞬變電壓保護(hù)端模塊、強(qiáng)力貼身保護(hù)、變送器安全守衛(wèi)，即使經(jīng)歷了復(fù)雜工況，仍能穩(wěn)定工作。

　　4.高強(qiáng)度金屬電保護(hù)外殼，外形美觀美觀，盡顯時(shí)尚科技美感，內(nèi)部厚實(shí)堅(jiān)固，能適應(yīng)苛刻的環(huán)境使用。

　　5.外鍵菜單功能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場實(shí)際操作，完全性隔離開磁感應(yīng)結(jié)構(gòu)，符合防爆要求，現(xiàn)場安全操作規(guī)范，功能鍵主要參數(shù)設(shè)定不影響電氣防護(hù)等級，更加安全.更快捷。

　　6.堅(jiān)固的不銹鋼加工凸緣，超厚加強(qiáng)結(jié)構(gòu)，堅(jiān)固耐用，高靜壓.高過載的有力保證。