PVD電弧離子技術(shù)鍍膜設(shè)備介紹

PVD電弧離子技術(shù)鍍膜設(shè)備是一種高效、無污染的離子鍍膜設(shè)備，具有沉積速度快、離化率高、離子能量大、設(shè)備操作簡單、成本低、生產(chǎn)量大的優(yōu)點。

PVD電弧離子技術(shù)鍍膜設(shè)備主要應(yīng)用于材料科學和機械工程領(lǐng)域，通過在真空狀態(tài)下注入氬氣，使氬氣樁基靶材分離成分子，并被導(dǎo)電的貨品吸附，從而形成一層均勻光滑的表面層。這種設(shè)備屬于物理沉積現(xiàn)象，常見的類型包括多弧離子鍍膜設(shè)備、直流磁控濺射鍍膜設(shè)備和中頻磁控濺射鍍膜設(shè)備等。

設(shè)備的技術(shù)指標包括最高沉積溫度可達500℃，配備有4個電弧靶、1個離子源和2個磁控靶，以及1個HIPPMIS。PVD電弧離子技術(shù)鍍膜設(shè)備能夠制備PVD涂層鍍膜，廣泛應(yīng)用于各種材料的表面處理，如金色氮化鈦、黑色碳化鈦、七彩氧化鈦、耐磨膜、超硬膜、金剛石膜、金屬裝飾膜等。

設(shè)備的電源類型多樣，包括直流電源、中頻電源、電弧電源、燈絲電源、活化電源和脈沖偏壓電源，滿足不同工藝需求。真空室結(jié)構(gòu)采用立式前開門設(shè)計，具有雙層水套式或水槽式冷卻和后置抽氣系統(tǒng)。真空系統(tǒng)由機械泵、羅茨泵、擴散泵/分子泵和維持泵組成，確保了高真空環(huán)境。加熱系統(tǒng)可調(diào)可控溫度范圍從常溫至350度，采用不銹鋼加熱管加熱。充氣系統(tǒng)配備質(zhì)量流量控制儀，可實現(xiàn)1-4路控制。設(shè)備的極限真空度達到6×10-4pa（空載、凈室），空載大氣抽至5×10-3pa小于13分鐘，保壓率1h≤0.6pa。工件旋轉(zhuǎn)方式支持上旋轉(zhuǎn)或下旋轉(zhuǎn)+公自轉(zhuǎn)變頻無級可控可調(diào)，轉(zhuǎn)速范圍0-20轉(zhuǎn)/分?？刂品绞桨ㄊ謩?/span>+半自動/觸摸屏+PLC，滿足不同操作需求。真空室尺寸可根據(jù)客戶產(chǎn)品及特殊工藝要求訂做。