這兩個(gè)回路會(huì)產(chǎn)生電磁干擾，所以這些交流回路必須在電源中布線其他印刷線之前鋪設(shè)。每個(gè)環(huán)路的三個(gè)主要元件，即濾波電容、功率開(kāi)關(guān)或整流器、電感或變壓器，應(yīng)彼此相鄰放置，并調(diào)整元件的位置，使它們之間的電流路徑盡可能短。建立開(kāi)關(guān)電源布局的方法與其電氣設(shè)計(jì)相似，設(shè)計(jì)流程如下:1。放置變壓器；2.設(shè)計(jì)電源開(kāi)關(guān)電流回路；3.設(shè)計(jì)輸出整流器電流回路；4.設(shè)計(jì)連接到交流電源電路的控制電路；設(shè)計(jì)輸入電流源環(huán)路和輸入濾波器；根據(jù)電路的功能單元，電路的所有元件要按照以下原則進(jìn)行布局:(1)首先考慮PCB的尺寸。

35.進(jìn)行整改和分段處理的經(jīng)驗(yàn)，如下圖所示，只是一種處理方法。在某些情況下，36歲的經(jīng)歷。輻射矯正和分段治療不能直接應(yīng)用。下圖適合一些新手工程師，提供了參考方向。在某些情況下，并不直接應(yīng)用，但有必要了解EMI產(chǎn)生的機(jī)理。37.關(guān)于PCB遇到的問(wèn)題，如圖，為什么99SE畫(huà)板覆銅時(shí)不能填充這個(gè)位置？仿佛有死銅，D1，一個(gè)元件，有一個(gè)用文字描述的性質(zhì)，放在最上面的銅箔上，如圖，放在最上面的絲印上后就解決了。38.變壓器的銅箔屏蔽主要針對(duì)傳導(dǎo)，導(dǎo)線屏蔽主要針對(duì)輻射。當(dāng)導(dǎo)電性非常好時(shí)， 你的輻射可能很差。這時(shí)候把變壓器的銅箔屏蔽換成導(dǎo)線屏蔽，盡量把跌落位置降低30M，這樣輻射整流會(huì)快很多。EMI整流技巧之一39。測(cè)試輻射的時(shí)候，多帶幾個(gè)不同牌子的MOS和肖特基。

有時(shí)候只差2、3dB就換個(gè)不同的牌子會(huì)很驚喜。第二個(gè)EMI整流技巧是40上的整流二極管。VCC，這對(duì)輻射也有很大影響。一個(gè)慘痛的案例，一個(gè)過(guò)了EMI的產(chǎn)品，盈余4dB以上，已經(jīng)量產(chǎn)很多次了。有一次量產(chǎn)EMI抽檢發(fā)現(xiàn)輻射超過(guò)1dB，不良品率50%。經(jīng)過(guò)一層一層的調(diào)查，把部件一個(gè)一個(gè)的調(diào)換了。最后發(fā)現(xiàn)問(wèn)題是由VCC上的整流二極管引起的。更換了之前的電子管(樣本保持低)，剩余為4dB。通過(guò)分析不良管道，發(fā)現(xiàn)管道內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。

比如反激原邊高壓MOS的D和S之間的距離，根據(jù)公式是0.85mm，500V V以下d S電壓是0.9mm，考慮到污染和濕度，一般是1.2 mm，如果TO220封裝的MOS的D管腳用磁珠連接，就要考慮增加T管腳的安全距離。我之前也遇到過(guò)炸機(jī)的現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀椎迷?5.送土壤法驗(yàn)證VCC，將產(chǎn)品放在低溫環(huán)境(冰箱)幾分鐘，測(cè)試VCC波形電壓是否觸發(fā)芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。小公司的設(shè)備沒(méi)有那么齊全。如果你感興趣， 你可以比較一下，看看VCC有多大的不同。在VCC彎道的設(shè)計(jì)中有許多因素需要考慮。56.變壓器底部PCB加通風(fēng)孔有利于散熱，小板也是。應(yīng)考慮風(fēng)路。