為了確保數(shù)據(jù)的完整性，DRAM采用電容存儲(chǔ)，并且需要定期進(jìn)行刷新。如果存儲(chǔ)單元未進(jìn)行刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。因此，在關(guān)機(jī)時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)丟失。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，與傳統(tǒng)EEPROM相比，它能夠在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫，而非按區(qū)塊擦寫。因此，閃存更新速度更快，被稱為Flash erase EEPROM或簡稱為Flash Memory。

新一代內(nèi)存芯片在頻率、容量、速度和電壓方面都有顯著提升。其中，DDR4內(nèi)存加快普及成為市場(chǎng)主流。不同代內(nèi)存條可以通過內(nèi)存上的標(biāo)簽貼紙或防呆口位置來分辨。內(nèi)存芯片在電路板上貼有黑色顆粒，顆粒數(shù)量越多，內(nèi)存條容量越大。內(nèi)存條規(guī)格包括DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4以及更古老的SDRAM內(nèi)存。這些內(nèi)存芯片共同構(gòu)成了現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。