閃存是一種電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,與傳統(tǒng)的EEPROM相比,它能夠在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫,而不是按區(qū)塊擦寫。由于閃存能夠在更短的時(shí)間內(nèi)完成數(shù)據(jù)傳輸,因此其更新速度比EEPROM更快,被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、智能卡、數(shù)據(jù)庫(kù)管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。

DDR2 SDRAM是JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合會(huì))開(kāi)發(fā)的一種新型內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)相比,它具有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力。DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù),并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。這種內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的推出,大大提高了內(nèi)存的讀取速度和效率,使得內(nèi)存條的容量更大。

內(nèi)存芯片是電路板上貼的一塊塊黑色的存儲(chǔ)單元,顆粒個(gè)數(shù)越多,內(nèi)存條的容量越大。內(nèi)存條規(guī)格包括DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4以及更老的SDRAM內(nèi)存。其中,DDR內(nèi)存指的是Double Data Rate SDRAM,是一種在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)膬?nèi)存技術(shù),人們習(xí)慣稱為DDR。而DDR SDRAM則是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備進(jìn)行改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),有效降低成本。