雙向晶閘管由于結(jié)構(gòu)簡單，只有一個觸發(fā)電路，可以作為一種理想的交流開關(guān)器件，近年來應用范圍逐漸擴大。本文將介紹保證閘流管和三端雙向可控硅開關(guān)順利完美運行的十個條件，以幫助您改進設計。

　　準則1

　　為了打開閘流管(或三端雙向可控硅開關(guān))，必須有一個柵極電流≧IGT，直到負載電流達到≧IL。這個條件必須滿足，并根據(jù)可能的溫度來考慮。

　　準則2

　　要斷開(開關(guān))閘流管(或三端雙向可控硅開關(guān))，必須中斷負載電流，使其返回到關(guān)閉狀態(tài)。在可能的工作溫度下，必須滿足上述條件。

　　準則3

　　在設計triac觸發(fā)電路時，我們應該盡可能避免3+象限(WT2-，+)。

　　準則4

　　為了減少雜波吸收，柵極連接的長度減少到?；亓骶€直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線，請使用螺旋雙股線或屏蔽線。在柵極和MT1之間增加一個1kω或更小的電阻。高頻旁路電容和柵極之間的串聯(lián)電阻。另一種解決方案是選擇H系列低靈敏度雙向晶閘管。

　　規(guī)則5

　　如果dVD/dt或dVCOM/dt可能導致問題，請在MT1和MT2之間添加RC緩沖電路。如果高dM/dt可能會導致問題，則增加一個幾mH的電感與負載串聯(lián)。另一種解決方案是使用Hi-Com雙向晶閘管。

　　準則6

　　如果雙向晶閘管的VDRM在嚴重和異常供電過程中可能被超過，則采取以下措施之一:

　　在負載上串聯(lián)幾μH電感的不飽和電感，限制dIT/dt；；MOV跨接在電源上，在電源側(cè)增加了濾波電路。

　　準則7

　　選擇好的門極觸發(fā)電路，避免3+象限條件，可以在一定程度上提高三端雙向可控硅開關(guān)的dIT/dt容差。

　　準則8

　　如果可能超過三端雙向可控硅開關(guān)的dIT/dt，則應將幾μH的無芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻與負載串聯(lián)。另一個解決方案:零電壓傳導用于阻性負載。

　　準則9

　　當設備固定在散熱器上時，避免給三端雙向可控硅開關(guān)施加壓力。固定，然后焊接引線。不要將鉚釘心軸放在設備接口件的一側(cè)。

　　準則10

　　為了長時間可靠地工作，Rthj-a應保持足夠低，Tj不應高于Tjmax，Tjmax對應于可能的環(huán)境溫度。

　　本文列舉了十條對閘流管和三端雙向可控硅工作非常有益的建議。你可以在使用晶閘管或三端雙向可控硅之前花幾分鐘時間閱讀這篇文章，相信會有意想不到的收獲，從而幫助你全方位了解三端雙向可控硅，節(jié)省設計成本。